G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB против Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Средняя оценка

Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 27

Около 22% меньшая задержка

Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB

Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.2 17.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.4 12.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

21 27
Скорость чтения, Гб/сек

17.4 18.2
Скорость записи, Гб/сек

12.2 13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3130 3604

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Super Talent F24EA8GS 8GB

Super Talent F24EA8GS 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB

Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingston 9905713-008.A00G 4GB

Kingston 9905713-008.A00G 4GB

модули RAM

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB

V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Kingston K000MD44U 4GB

Kingston K000MD44U 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB

модули RAM