G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB против G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 32

Около 34% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.4 11

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.2 11.5

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

21 32
Скорость чтения, Гб/сек

17.4 11.0
Скорость записи, Гб/сек

12.2 11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3130 2622

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB

UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB

модули RAM

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB

Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB

Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Kingston 9905678-156.A00G 8GB

Kingston 9905678-156.A00G 8GB

модули RAM