RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3211
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
INTENSO M418039 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link