RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
55
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
55
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
10.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2232
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link