RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
55
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
55
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
10.0
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2232
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link