RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
29
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
29
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
12.2
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3130
2419
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Сравнения RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link