RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
29
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
29
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
12.2
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3130
2419
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Сравнения RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link