RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
30
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
30
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
10.0
Скорость записи, Гб/сек
12.2
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3130
2234
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Сравнения RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9905403-02X.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link