RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB против Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
46
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.8
12.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
21
46
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.2
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3130
2936
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Сравнения RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 9905625-004.A03LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link