RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
46
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
11.1
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2388
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9905417-061.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link