G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB против Maxsun MSD416G26Q3 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

Средняя оценка

Maxsun MSD416G26Q3 16GB

Maxsun MSD416G26Q3 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 84

Около 65% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.4 12.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.8 7.0

Среднее значение в тестах

Maxsun MSD416G26Q3 16GB

Причины выбрать
Maxsun MSD416G26Q3 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

21300 17000

Около 1.25 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

Maxsun MSD416G26Q3 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 84
Скорость чтения, Гб/сек

19.4 12.5
Скорость записи, Гб/сек

15.8 7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

17000 21300

Other

Описание

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3614 1486

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Kingston 9965662-009.A00G 16GB

Kingston 9965662-009.A00G 16GB

модули RAM

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB

SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB

модули RAM

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N

модули RAM

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB

модули RAM

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB

Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB

модули RAM