RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
24
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
29
Скорость чтения, Гб/сек
24.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
20.0
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
4156
3273
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link