RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Сравнить
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB против G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
24
18.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около -7% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
27
Скорость чтения, Гб/сек
24.0
18.3
Скорость записи, Гб/сек
20.0
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
17000
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
4156
3956
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link