RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сравнить
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB против Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
72
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.3
4.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
2.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
56
Скорость чтения, Гб/сек
4.9
9.3
Скорость записи, Гб/сек
2.9
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
776
2200
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5316-033.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link