RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сравнить
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB против Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
72
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.3
4.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
2.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
72
56
Скорость чтения, Гб/сек
4.9
9.3
Скорость записи, Гб/сек
2.9
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
776
2200
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5316-033.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C9-8GXM 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link