RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
24
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около -21% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
24
Скорость чтения, Гб/сек
24.0
15.6
Скорость записи, Гб/сек
20.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
4156
2852
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Lenovo 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link