RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
74
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
74
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1779
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link