RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Сравнить
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB против AMD R948G3206U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Средняя оценка
AMD R948G3206U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
36
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
12.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
AMD R948G3206U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
16.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
18.5
Скорость записи, Гб/сек
13.7
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3254
3320
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link