RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2271
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link