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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
32
Intorno 25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
32
Velocità di lettura, GB/s
16.0
9.8
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2271
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
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