RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
49
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
2,066.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
15.4
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2513
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link