RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB против Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
69
Около 38% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
7.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
69
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
16.1
Скорость записи, Гб/сек
7.7
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1823
1794
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link