RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
47
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
18.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
3122
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link