Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 19.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,622.0 13.9

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

19 77

Около -305% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 5300

Около 3.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 19
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 19.3
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 17000

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 3310

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB

Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

JUHOR JHD2666U1916JG 16GB

JUHOR JHD2666U1916JG 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB

Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB

Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB

Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB

A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB

модули RAM