RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
41
Около -78% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
17.5
Скорость записи, Гб/сек
9.7
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2366
3260
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Сравнения RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link