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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
41
Por volta de -78% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
9.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.7
14.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2366
3260
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparações de RAM
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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