RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
77
Wokół strony -305% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3310
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link