RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
13.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
77
Por volta de -305% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
19
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
19.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
13.9
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3310
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link