RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
49
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
2,066.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
13.0
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2586
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link