RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
49
Около -75% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
19.2
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3698
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link