RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23.1
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.4
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
23.1
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
19.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
4380
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link