Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB

-->

Средняя оценка

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB

Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 17.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,066.5 14.9

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 49

Около -36% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 36
Скорость чтения, Гб/сек

4,577.1 17.1
Скорость записи, Гб/сек

2,066.5 14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

737 3449

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB

Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB

Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

Kingston 9905471-006.A01LF 4GB

A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB

A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200

модули RAM

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB

модули RAM