RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3722
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Mushkin 996902 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link