RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
23.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
49
Около -69% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
23.4
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
18.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
4208
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZPHSCR 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link