RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
3011
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link