RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
23
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
15
49
Около -227% меньшая задержка
Выше скорость записи
21.0
2,066.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
15
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
23.0
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
21.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
4039
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link