Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB против Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Средняя оценка

Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB

Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Сообщить об ошибке

Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB

Причины выбрать
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 42

Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.3 9.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.9 6.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 26
Скорость чтения, Гб/сек

9.7 18.3
Скорость записи, Гб/сек

6.0 12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1396 3312

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB

Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Kingston 9905622-024.A00G 4GB

Kingston 9905622-024.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB

Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB

модули RAM