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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
9.7
18.3
写入速度,GB/s
6.0
12.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3312
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
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