RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
49
Около -81% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
11.4
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2062
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link