RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
49
Около -88% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2880
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link