RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
49
Около -81% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
13.5
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2430
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link