Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 47

Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.5 9.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.1 5.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 29
Скорость чтения, Гб/сек

9.3 18.5
Скорость записи, Гб/сек

5.9 14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1413 3434

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB

Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Kingston 9905622-025.A01G 4GB

Kingston 9905622-025.A01G 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB

Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB

Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB

Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB

модули RAM