RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
50
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.9
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
14.6
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2664
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link