RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
50
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2664
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link