RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
49
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
2,066.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
10.0
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2234
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link