RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
49
Около -63% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2901
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link