RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
49
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
2,066.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
15.1
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2502
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link