RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Vergleichen Sie
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Gesamtnote
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
49
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
2,066.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,577.1
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,066.5
9.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
737
2502
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link