RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
25.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
46
Rund um -84% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.5
1,852.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,535.6
25.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,852.4
19.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
4167
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link