RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
25.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость записи
19.5
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
25
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
25.2
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
19.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
4167
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link