RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
25.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
25.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
4167
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CM2X1024-8500C5 1GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link