RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
25.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
25.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
4167
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link