RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
21.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
18.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
49
Около -188% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
17
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
21.6
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
18.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3528
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link