RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
19200
Около 1.22 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
23400
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3272
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link